메인내용
언어별 코드
| 언어 | 한국어 | 영어 | 중국어 | 일본어 | 독일어 | 스페인어 | 인도네시아어 | 베트남어 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| 코드 | ko | en | zh | ja | de | es | id | vi |
비트 방해
- enBeat Disturbance
- zh差拍干扰
- jaビート障害
- de Beat-Störung
- esperturbación de bits
- idGangguan bit
- vinhiễu beat
전파의 간섭으로 발생한 비트가 화면이나 음향의 특성을 방해하는 현상. 비트 방해가 생기면 텔레비전 화면에 줄무늬 모양이 생기고, 음향에는 비트음이 발생한다.
마르코프 과정
- enMarkov process
- zh马尔可夫过程
- jaマルコフ過程
- deMarkovprozeß
- esproceso de Márkov, cadena de Márkov, modelo de Márkov
- idProses Markov
- viquá trình Markov
연속적인 시간의 함수로서, 어느 확률 변수(시간의 함수이므로, 이 집합을 확률 과정이라 한다)에 착안하였을 때, 시각 t에서의 확률 분포가 t보다 과거의 임의의 한 시각에서의 상태에만 관계하고, 그보다 과거의 상태에 무관할 때의 확률 과정.
단순 매트릭스형 액정 표시 장치
- ensimple matrix liquid crystal display
- zh简易矩阵液晶显示器
- ja単純マトリクス型液晶ディスプレイ
- deFlüssigkristallanzeige mit einfacher Matrix
- espantalla de cristal líquido de matriz simple
- idtampilan kristal cair matriks sederhana
- vimàn hình tinh thế lỏng ma trận đơn giản
액정 표시 방법의 하나. 문자 그대로 액정 셀(cell)이 단순한 구조로 되어 있다. X와 Y의 행/열 배열의 투명 전극을 갖는 2매의 유리 기판 사이의 좁은 틈에 액정층이 형성된다. 단순 매트릭스형에서는 전극에서 화소 액정을 직접 구동하므로 모든 화소가 전기적으로 결합되어 있다. 따라서 선택된 주사 전극에 전달된 표시 신호는 선택되지 않은 전극에 누화(crosstalk)라고 하는 리크(leak)를 발생시킨다. 이 누화로 인해서 명암(contrast)이나 화질의 열화가 발생한다. 이것은 인가 전압에 대한 액정 분자의 배열 변화를 급격하게 해야 격감된다. 그래서 TN형(twisted nematic mode) 액정 대신에 STN형(super twisted mode) 액정이 등장했다. 현재 단순 매트릭스형 액정 표시 장치에서는 STN형 액정이 주로 사용된다.
일반 최소 제곱
분야 machine learning
약어 OLS
- enOrdinary Least Squares
- zh最小二乘法
- ja一般最小二乗
- deGewöhnliche kleinste Quadrate
- esKuadrat Terkecil Biasa
- idMínimos cuadrados ordinarios
- viBình phương tối thiểu
대화식 데이터베이스
- eninteractive database
- zh交互式数据库
- ja対話式データベース
- deinteraktive Datenbank
- esbase datos interactiva
- iddatabase interaktif
- vicơ sở dữ liệu tương tác
목록 처리 언어(LISP)나 연상 프로그래밍 언어(APL) 같은 대화식 언어의 데이터 추상화 기법을 단말기 사용자가 사용하는 질의어로 도입하여 사용하고자 하는 데이터베이스.
와이드 아이오 모바일 디램
약어 Wide IO MDDR
- enWide Input Output Mobile DDR
- zh宽带输入输出移动DDR
- jaワイドIO MDDR
- deWide Input Output Mobile DDR, Wide IO MDDR
- esAmplia entrada de salida Mobile DDR, Wide IO MDDR
- idWide Input Output Mobile DDR, Wide IO MDDR
- viĐầu vào rộng Đầu ra Di động DDR, IO MDDR Rộng
정보를 입출력하는 핀 수를 늘려 빠른 속도와 낮은 소비 전력을 구현한 다음 세대 디램. 기존 모바일 디램(MDDR)의 정보 입출력(IO) 핀 수를 32개에서 512개로 늘려 전송 속도를 초마다 1.6GB에서 12.8GB로 높이고, 전력 소모도 8분의 1 수준으로 낮춘 디램이다.